Crecimiento de SiO2 por método seco

Crecimiento de SiO2 por método seco

El crecimiento de óxido por tratamiento térmico seco es muy similar al método húmedo, utilizamos un horno con un tubo de cuarzo y en lugar de utilizar vapor, se utilizan moléculas de oxígeno, que con determinada presión y flujo de este gas, se obtiene una película de óxido de silicio.